DN2625DK6-G - Microchip Technology

Numéro d'article	DN2625DK6-G
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Depletion Mode
Drain à la tension de source (Vdss)	250V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	1.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 Ohm @ 1A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	7.04nC @ 1.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 25V
Puissance - Max	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-VDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur	8-DFN (5x5)
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	DN2625DK6-G	Microchip Technology	MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN	Détails
	DN2625K4-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 250V 1.1A 3DPAK	Détails