DN2625DK6-G - Microchip Technology

Numero di parte	DN2625DK6-G
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Depletion Mode
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 Ohm @ 1A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.04nC @ 1.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 25V
Potenza - Max	-
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	8-DFN (5x5)
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	DN2625DK6-G	Microchip Technology	MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN	Dettagli
	DN2625K4-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 250V 1.1A 3DPAK	Dettagli