DN2625DK6-G - Microchip Technology

Artikelnummer	DN2625DK6-G
Teilstatus	Active
FET Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft	Depletion Mode
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	250V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	1.1A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	3.5 Ohm @ 1A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	7.04nC @ 1.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 25V
Leistung max	-
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	8-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket	8-DFN (5x5)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	DN2625DK6-G	Microchip Technology	MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN	Einzelheiten
	DN2625K4-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 250V 1.1A 3DPAK	Einzelheiten