DN2625K4-G

DN2625K4-G - Microchip Technology

Numéro d'article
DN2625K4-G
Fabricant
Microchip Technology
Brève description
MOSFET N-CH 250V 1.1A 3DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
DN2625K4-G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
15000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.9517/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour DN2625K4-G

DN2625K4-G Description détaillée

Numéro d'article DN2625K4-G
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1.1A (Tj)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 0V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.04nC @ 1.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique Depletion Mode
Dissipation de puissance (Max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 Ohm @ 1A, 0V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-252, (D-Pak)
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR DN2625K4-G