VS-GT200TP065N - Vishay Semiconductor Diodes Division

Número de pieza: VS-GT200TP065N
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Breve descripción: IGBT
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - IGBT - Módulos
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Cantidad de stock: 276 pcs
Precio de referencia: USD 95.4438/pcs
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Número de pieza	VS-GT200TP065N
Estado de la pieza	Active
Tipo de IGBT	Trench
Configuración	Half Bridge
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	650V
Current - Collector (Ic) (Max)	221A
Potencia - Max	600W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.12V @ 15V, 200A
Corriente - corte de colector (máximo)	60µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce	-
Entrada	Standard
Termistor NTC	No
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / caja	INT-A-Pak
Paquete de dispositivo del proveedor	INT-A-PAK
Peso	-
País de origen	-

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