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VS-GT200TP065N - Vishay Semiconductor Diodes Division

品番: VS-GT200TP065N
メーカー: Vishay Semiconductor Diodes Division
簡単な説明: IGBT
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: VS-GT200TP065N PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - IGBT - モジュール
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 266 pcs
参考価格: USD 95.4438/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

VS-GT200TP065N 詳細な説明

品番	VS-GT200TP065N
部品ステータス	Active
IGBTタイプ	Trench
構成	Half Bridge
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大）	650V
電流 - コレクタ（Ic）（最大）	221A
電力 - 最大	600W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic	2.12V @ 15V, 200A
電流 - コレクタ遮断（最大）	60µA
入力容量（Cies）@ Vce	-
入力	Standard
NTCサーミスタ	No
動作温度	-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Chassis Mount
パッケージ/ケース	INT-A-Pak
サプライヤデバイスパッケージ	INT-A-PAK
重量	-
原産国	-

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