TK16G60W,RVQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza	TK16G60W,RVQ
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	15.8A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 790µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	Super Junction
Disipación de potencia (Máx)	130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 7.9A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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