TK16G60W,RVQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	TK16G60W,RVQ
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	15.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 790µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 300V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	Super Junction
Dissipazione di potenza (max)	130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 7.9A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
TK1605800000G	Amphenol Anytek	TERM BLK 16P SIDE ENTRY 5MM PCB	Dettagli
TK160F10N1L,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Dettagli
TK16111MTL	TOKO	TK16111MTL TOKO SOP6 New Original Stocks	Dettagli
TK16A45D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 450V 16A TO-220SIS	Dettagli
TK16A55D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 550V 16A TO-220SIS	Dettagli
TK16A60W,S4VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS	Dettagli
TK16A60W,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 15.8ADTMOSIV	Dettagli
TK16A60W5,S4VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS	Dettagli
TK16C60W,S1VQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK	Dettagli
TK16E60W,S1VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220	Dettagli