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TK16G60W,RVQ - Toshiba Semiconductor and Storage

品番: TK16G60W,RVQ
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明: MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: TK16G60W,RVQ PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 3693 pcs
参考価格: USD 0/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

TK16G60W,RVQ 詳細な説明

品番	TK16G60W,RVQ
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	15.8A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3.7V @ 790µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	38nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1350pF @ 300V
Vgs（最大）	±30V
FET機能	Super Junction
消費電力（最大）	130W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	190 mOhm @ 7.9A, 10V
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	D2PAK
パッケージ/ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量	-
原産国	-

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