TK160F10N1L,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: TK160F10N1L,LQ
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 122625 pcs
Precio de referencia: USD 1.3427/pcs
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Número de pieza	TK160F10N1L,LQ
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	160A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	122nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10100pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220SM(W)
Paquete / caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	TK1605800000G	Amphenol Anytek	TERM BLK 16P SIDE ENTRY 5MM PCB	Detalles
	TK160F10N1L,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Detalles