TK160F10N1L,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TK160F10N1L,LQ
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	160A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	122nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	10100pF @ 10V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	375W (Tc)
Рабочая Температура	175°C
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-220SM(W)
Упаковка / чехол	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	TK1605800000G	Amphenol Anytek	TERM BLK 16P SIDE ENTRY 5MM PCB	подробности
	TK160F10N1L,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	подробности