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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › TK10A80W,S4X
TK10A80W,S4X

TK10A80W,S4X - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
TK10A80W,S4X
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
TK10A80W,S4X Navegación en línea de PDF
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-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
970 pcs
Precio de referencia
USD 3.14/pcs
Nuestro precio
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TK10A80W,S4X Descripción detallada

Número de pieza TK10A80W,S4X
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9.5A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 450µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1150pF @ 300V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550 mOhm @ 4.8A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220SIS
Paquete / caja TO-220-3 Full Pack
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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