TK10A80W,S4X - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TK10A80W,S4X
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	800V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	9.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 450µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1150pF @ 300V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	40W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	550 mOhm @ 4.8A, 10V
Betriebstemperatur	150°C
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220SIS
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TK1005800000G	Amphenol Anytek	TERM BLK 10P SIDE ENTRY 5MM PCB	Einzelheiten
TK100A06N1,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 100A TO-220	Einzelheiten
TK100A08N1,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS	Einzelheiten
TK100A10N1,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 100V 100A TO-220	Einzelheiten
TK100E06N1,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 60V 100A TO-220	Einzelheiten
TK100E08N1,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 80V 100A TO220	Einzelheiten
TK100E10N1,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 100V 100A TO220	Einzelheiten
TK100L60W,VQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)	Einzelheiten
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TK10200MTL	TOTK	TK10200MTL TOTK SOP/8 New Original Stocks	Einzelheiten