TK10A80W,S4X

TK10A80W,S4X - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
TK10A80W,S4X
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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970 pcs
Prezzo di riferimento
USD 3.14/pcs
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TK10A80W,S4X Descrizione dettagliata

Numero di parte TK10A80W,S4X
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 450µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1150pF @ 300V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550 mOhm @ 4.8A, 10V
temperatura di esercizio 150°C
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220SIS
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack
Peso -
Paese d'origine -

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