TK100A10N1,S4X

TK100A10N1,S4X - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
TK100A10N1,S4X
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
350 pcs
Referenzpreis
USD 4.41/pcs
Unser Preis
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TK100A10N1,S4X detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TK100A10N1,S4X
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8800pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 45W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 50A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220SIS
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Gewicht -
Ursprungsland -

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