| Número de pieza | TK100A08N1,S4X |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9000pF @ 40V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 50A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220SIS |
| Paquete / caja | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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TK100E06N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 60V 100A TO-220 | Detalles |
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TK100E08N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 80V 100A TO220 | Detalles |
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TK100E10N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 100A TO220 | Detalles |
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