TK100A08N1,S4X

TK100A08N1,S4X - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호
TK100A08N1,S4X
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
간단한 설명
MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
187 pcs
참고 가격
USD 4.15/pcs
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TK100A08N1,S4X 상세 설명

부품 번호 TK100A08N1,S4X
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 80V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 130nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 9000pF @ 40V
Vgs (최대) ±20V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 45W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 50A, 10V
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
공급 업체 장치 패키지 TO-220SIS
패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
무게 -
원산지 -

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