TSM200N03DPQ33 RGG - Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza: TSM200N03DPQ33 RGG
Fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descripción: MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza	TSM200N03DPQ33 RGG
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	345pF @ 25V
Potencia - Max	20W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	8-PowerWDFN
Paquete de dispositivo del proveedor	8-PDFN (3x3)
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	TSM200N03DPQ33 RGG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN	Detalles