TSM200N03DPQ33 RGG

TSM200N03DPQ33 RGG - Taiwan Semiconductor Corporation

Artikelnummer
TSM200N03DPQ33 RGG
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Kurze Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
944690 pcs
Referenzpreis
USD 0.17429/pcs
Unser Preis
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TSM200N03DPQ33 RGG detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TSM200N03DPQ33 RGG
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 345pF @ 25V
Leistung max 20W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket 8-PDFN (3x3)
Gewicht -
Ursprungsland -

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