TSM200N03DPQ33 RGG - Taiwan Semiconductor Corporation

Numero di parte: TSM200N03DPQ33 RGG
fabbricante: Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descrizione: MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Array
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Codice data: New
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Numero di parte	TSM200N03DPQ33 RGG
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	345pF @ 25V
Potenza - Max	20W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	8-PDFN (3x3)
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	TSM200N03DPQ33 RGG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN	Dettagli