APT50GF120JRDQ3

APT50GF120JRDQ3 - Microsemi Corporation

Número de pieza
APT50GF120JRDQ3
Fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
IGBT 1200V 120A 521W SOT227
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - IGBT - Módulos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
10 pcs
Precio de referencia
USD 67.56/pcs
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APT50GF120JRDQ3 Descripción detallada

Número de pieza APT50GF120JRDQ3
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT NPT
Configuración Single
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 120A
Potencia - Max 521W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 75A
Corriente - corte de colector (máximo) 750µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 5.32nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja ISOTOP
Paquete de dispositivo del proveedor ISOTOP®
Peso -
País de origen -

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