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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › APT50GF120JRDQ3
APT50GF120JRDQ3

APT50GF120JRDQ3 - Microsemi Corporation

品番
APT50GF120JRDQ3
メーカー
Microsemi Corporation
簡単な説明
IGBT 1200V 120A 521W SOT227
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
APT50GF120JRDQ3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
10 pcs
参考価格
USD 67.56/pcs
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APT50GF120JRDQ3 詳細な説明

品番 APT50GF120JRDQ3
部品ステータス Active
IGBTタイプ NPT
構成 Single
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 1200V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 120A
電力 - 最大 521W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 3V @ 15V, 75A
電流 - コレクタ遮断（最大） 750µA
入力容量（Cies）@ Vce 5.32nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース ISOTOP
サプライヤデバイスパッケージ ISOTOP®
重量 -
原産国 -

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