| Artikelnummer | APT50GF120JRDQ3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | NPT |
| Aufbau | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 120A |
| Leistung max | 521W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 75A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 750µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 5.32nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | ISOTOP |
| Lieferantengerätepaket | ISOTOP® |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
APT5010B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | Einzelheiten |
|
APT5010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | Einzelheiten |
 |
APT5010JFLL | APT | APT5010JFLL APT SMD or Through Hole New Original Stocks | Einzelheiten |
 |
APT5010JLLU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 | Einzelheiten |
|
APT5010JLLU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 | Einzelheiten |
|
APT5010JN | APT | APT5010JN APT SMD or Through Hole New Original Stocks | Einzelheiten |
|
APT5010JVR | APT | APT5010JVR APT SMD or Through Hole New Original Stocks | Einzelheiten |
|
APT5010JVRU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | Einzelheiten |
|
APT5010JVRU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | Einzelheiten |
 |
APT5010LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 | Einzelheiten |
