APT5010JVRU3 - Microsemi Corporation

Artikelnummer	APT5010JVRU3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	44A
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 2.5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	312nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7410pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	450W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 22A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-227
Paket / Fall	SOT-227-4, miniBLOC
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
APT5010B2FLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX	Einzelheiten
APT5010B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX	Einzelheiten
APT5010JFLL	APT	APT5010JFLL APT SMD or Through Hole New Original Stocks	Einzelheiten
APT5010JLLU2	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227	Einzelheiten
APT5010JLLU3	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 41A SOT227	Einzelheiten
APT5010JN	APT	APT5010JN APT SMD or Through Hole New Original Stocks	Einzelheiten
APT5010JVR	APT	APT5010JVR APT SMD or Through Hole New Original Stocks	Einzelheiten
APT5010JVRU2	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 44A SOT227	Einzelheiten
APT5010JVRU3	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 44A SOT227	Einzelheiten
APT5010LFLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A TO-264	Einzelheiten