SPD03N50C3ATMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza: SPD03N50C3ATMA1
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: MOSFET N-CH 500V 3.2A DPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 49893 pcs
Precio de referencia: USD 0.5416/pcs
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Número de pieza	SPD03N50C3ATMA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.2A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 135µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 2A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO252-3-1
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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