| номер части | SPD03N50C3ATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 500V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 3.2A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 135µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 350pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 38W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 2A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3-1 |
| Упаковка / чехол | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
SPD030G | EXSHINE | Smartec Pressure Sensor | подробности |
|
SPD03N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK | подробности |
|
SPD03N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 3.2A DPAK | подробности |
|
SPD03N50C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK | подробности |
|
SPD03N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK | подробности |
 |
SPD03N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2A DPAK | подробности |
|
SPD03N60C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK | подробности |
|
SPD03N60S5 | infineon | SPD03N60S5 infineon TO-252 New Original Stocks | подробности |
|
SPD03N60S5BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-252 | подробности |
