• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › SPD03N50C3ATMA1
SPD03N50C3ATMA1

SPD03N50C3ATMA1 - Infineon Technologies

品番
SPD03N50C3ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 500V 3.2A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
SPD03N50C3ATMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
SPD03N50C3ATMA1.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
47387 pcs
参考価格
USD 0.5416/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください SPD03N50C3ATMA1

SPD03N50C3ATMA1 詳細な説明

品番 SPD03N50C3ATMA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 500V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 3.2A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 3.9V @ 135µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 15nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 350pF @ 25V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 38W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 1.4 Ohm @ 2A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3-1
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 -
原産国 -

関連製品 SPD03N50C3ATMA1

画像 品番 メーカー 説明 見る
SPD030G SPD030G EXSHINE Smartec Pressure Sensor 詳細
SPD03N50C3 SPD03N50C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK 詳細
SPD03N50C3ATMA1 SPD03N50C3ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 3.2A DPAK 詳細
SPD03N50C3BTMA1 SPD03N50C3BTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK 詳細
SPD03N60C3 SPD03N60C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK 詳細
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 3.2A DPAK 詳細
SPD03N60C3BTMA1 SPD03N60C3BTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK 詳細
SPD03N60S5 SPD03N60S5 infineon SPD03N60S5 infineon TO-252 New Original Stocks 詳細
SPD03N60S5BTMA1 SPD03N60S5BTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-252 詳細