SPD03N60S5BTMA1

SPD03N60S5BTMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza
SPD03N60S5BTMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-252
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
3980 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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SPD03N60S5BTMA1 Descripción detallada

Número de pieza SPD03N60S5BTMA1
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3.2A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 135µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 2A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso -
País de origen -

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