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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › SPB21N10 G
SPB21N10 G

SPB21N10 G - Infineon Technologies

Número de pieza
SPB21N10 G
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
SPB21N10 G Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
SPB21N10 G.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4107 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
Nuestro precio
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SPB21N10 G Descripción detallada

Número de pieza SPB21N10 G
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 21A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 44µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 38.4nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 865pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 15A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO263-3-2
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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