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SPB21N10 G - Infineon Technologies

부품 번호: SPB21N10 G
제조사: Infineon Technologies
간단한 설명: MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: SPB21N10 G PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: SPB21N10 G.pdf
범주: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 3505 pcs
참고 가격: USD 0/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

SPB21N10 G 상세 설명

부품 번호	SPB21N10 G
부품 상태	Obsolete
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	21A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Vgs (th) (최대) @ Id	4V @ 44µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	38.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	865pF @ 25V
Vgs (최대)	±20V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	90W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 15A, 10V
작동 온도	-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
무게	-
원산지	-

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