SPB21N10 G Подробное описание
номер части |
SPB21N10 G |
Статус детали |
Obsolete |
Тип полевого транзистора |
N-Channel |
Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
100V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
21A (Tc) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 44µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
38.4nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
865pF @ 25V |
Vgs (Макс.) |
±20V |
Функция FET |
- |
Рассеиваемая мощность (макс.) |
90W (Tc) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
80 mOhm @ 15A, 10V |
Рабочая Температура |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип монтажа |
Surface Mount |
Пакет устройств поставщика |
PG-TO263-3-2 |
Упаковка / чехол |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SPB21N10 G