| Número de pieza | IRF5810TRPBF |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 16V |
| Potencia - Max | 960mW |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-TSOP |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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IRF500 | EXSHINE | 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED | Detalles |
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IRF500C10RJ | EXSHINE | 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED | Detalles |
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IRF510 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | Detalles |
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IRF510L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262 | Detalles |
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IRF510PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | Detalles |
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IRF510S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Detalles |
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IRF510SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Detalles |
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IRF510STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Detalles |
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IRF510STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Detalles |
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IRF510STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Detalles |
