| Numéro d'article | IRF5810TRPBF |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 2.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 16V |
| Puissance - Max | 960mW |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Package de périphérique fournisseur | 6-TSOP |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF500 | EXSHINE | 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED | Détails |
|
IRF500C10RJ | EXSHINE | 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED | Détails |
 |
IRF510 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | Détails |
 |
IRF510L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262 | Détails |
|
IRF510PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | Détails |
 |
IRF510S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Détails |
|
IRF510SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Détails |
|
IRF510STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Détails |
|
IRF510STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Détails |
|
IRF510STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Détails |
