| номер части | IRF5810TRPBF |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | 2 P-Channel (Dual) |
| Функция FET | Logic Level Gate |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 2.9A |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 9.6nC @ 4.5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 650pF @ 16V |
| Мощность - макс. | 960mW |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Пакет устройств поставщика | 6-TSOP |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF500 | EXSHINE | 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED | подробности |
|
IRF500C10RJ | EXSHINE | 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED | подробности |
 |
IRF510 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | подробности |
 |
IRF510L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262 | подробности |
|
IRF510PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | подробности |
 |
IRF510S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | подробности |
|
IRF510SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | подробности |
|
IRF510STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | подробности |
|
IRF510STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | подробности |
|
IRF510STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | подробности |
