IPW65R110CFDAFKSA1 - Infineon Technologies

Número de pieza: IPW65R110CFDAFKSA1
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Cantidad de stock: 4531 pcs
Precio de referencia: USD 5.8082/pcs
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Número de pieza	IPW65R110CFDAFKSA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	31.2A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.3mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	118nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3240pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	277.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 12.7A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO247-3
Paquete / caja	TO-247-3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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