| Número de pieza | IPW65R041CFD |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 68.5A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 3.3mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8400pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 33.1A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO247-3 |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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IPW60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | Detalles |
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IPW60R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | Detalles |
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IPW60R040CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | Detalles |
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IPW60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3 | Detalles |
