| Número de pieza | IPW65R037C6FKSA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 83.2A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3.3mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7240pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 33.1A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO247-3 |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 | Detalles |
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IPW65R037C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3 | Detalles |
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IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247 | Detalles |
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IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies | HIGH POWERLEGACY | Detalles |
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IPW65R048CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-247-3 | Detalles |
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IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-247-3 | Detalles |
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IPW65R070C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247 | Detalles |
