| номер части | IPW65R037C6FKSA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 650V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 83.2A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3.3mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 330nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 7240pF @ 100V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 500W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 33.1A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO247-3 |
| Упаковка / чехол | TO-247-3 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 | подробности |
|
IPW65R037C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3 | подробности |
|
IPW65R041CFD | Infineon Technologies | MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247 | подробности |
|
IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247 | подробности |
 |
IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies | HIGH POWERLEGACY | подробности |
|
IPW65R045C7300XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-247-3 | подробности |
|
IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 46A TO-247-3 | подробности |
|
IPW65R048CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-247-3 | подробности |
|
IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-247-3 | подробности |
|
IPW65R070C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247 | подробности |
