IPW65R037C6FKSA1

IPW65R037C6FKSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IPW65R037C6FKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
IPW65R037C6FKSA1.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
812 pcs
Prix ​​de référence
USD 14.52/pcs
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IPW65R037C6FKSA1 Description détaillée

Numéro d'article IPW65R037C6FKSA1
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 83.2A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 3.3mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7240pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37 mOhm @ 33.1A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur PG-TO247-3
Paquet / cas TO-247-3
Poids -
Pays d'origine -

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