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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › IPW65R110CFDAFKSA1
IPW65R110CFDAFKSA1

IPW65R110CFDAFKSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
IPW65R110CFDAFKSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IPW65R110CFDAFKSA1 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
IPW65R110CFDAFKSA1.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
4512 pcs
Prezzo di riferimento
USD 5.8082/pcs
Il nostro prezzo
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IPW65R110CFDAFKSA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte IPW65R110CFDAFKSA1
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 31.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 118nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3240pF @ 100V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 277.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 12.7A, 10V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO247-3
Pacchetto / caso TO-247-3
Peso -
Paese d'origine -

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