IPW65R045C7300XKSA1

IPW65R045C7300XKSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
IPW65R045C7300XKSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V TO-247-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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IPW65R045C7300XKSA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte IPW65R045C7300XKSA1
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 46A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1.25mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4.34nF @ 400V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 227W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO247
Pacchetto / caso TO-247-3
Peso -
Paese d'origine -

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