| Número de pieza | BSZ0901NSI |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 25A (Ta), 40A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | Schottky Diode (Body) |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 20A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TSDSON-8-FL |
| Paquete / caja | 8-PowerTDFN |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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BSZ018NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 | Detalles |
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BSZ018NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 | Detalles |
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BSZ019N03LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8 | Detalles |
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BSZ019N03LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8 | Detalles |
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BSZ023N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8 | Detalles |
