BSZ0901NSI - Infineon Technologies

номер части	BSZ0901NSI
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	25A (Ta), 40A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	41nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	2600pF @ 15V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	Schottky Diode (Body)
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	2.1 mOhm @ 20A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TSDSON-8-FL
Упаковка / чехол	8-PowerTDFN
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BSZ013NE2LS5IATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 32A 8SON	подробности
BSZ014NE2LS5IFATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON	подробности
BSZ017NE2LS5IATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 27A 8SON	подробности
BSZ018NE2LS	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8	подробности
BSZ018NE2LSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8	подробности
BSZ018NE2LSI	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8	подробности
BSZ018NE2LSIATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8	подробности
BSZ019N03LS	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8	подробности
BSZ019N03LSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8	подробности
BSZ023N04LSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8	подробности