| Numero di parte | BSZ0901NSI |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Ta), 40A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | Schottky Diode (Body) |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 20A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8-FL |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
|
BSZ013NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 32A 8SON | Dettagli |
|
BSZ014NE2LS5IFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON | Dettagli |
|
BSZ017NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 27A 8SON | Dettagli |
|
BSZ018NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 | Dettagli |
|
BSZ018NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 | Dettagli |
|
BSZ018NE2LSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 | Dettagli |
|
BSZ018NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 | Dettagli |
|
BSZ019N03LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8 | Dettagli |
|
BSZ019N03LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8 | Dettagli |
 |
BSZ023N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8 | Dettagli |
