BSZ017NE2LS5IATMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza: BSZ017NE2LS5IATMA1
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: MOSFET N-CH 25V 27A 8SON
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 43388 pcs
Precio de referencia: USD 0.5918/pcs
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Número de pieza	BSZ017NE2LS5IATMA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	27A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 12V
Vgs (Max)	±16V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8-FL
Paquete / caja	8-PowerTDFN
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	BSZ017NE2LS5IATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 27A 8SON	Detalles