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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › GA10JT12-263
GA10JT12-263

GA10JT12-263 - GeneSiC Semiconductor

Número de pieza
GA10JT12-263
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Breve descripción
TRANS SJT 1200V 25A
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
GA10JT12-263 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
GA10JT12-263.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
1955 pcs
Precio de referencia
USD 20.95/pcs
Nuestro precio
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GA10JT12-263 Descripción detallada

Número de pieza GA10JT12-263
Estado de la pieza Active
Tipo de FET -
Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 25A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1403pF @ 800V
Vgs (Max) -
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 10A
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor -
Paquete / caja -
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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