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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › GA10JT12-263
GA10JT12-263

GA10JT12-263 - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer
GA10JT12-263
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS SJT 1200V 25A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
GA10JT12-263 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
GA10JT12-263.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1955 pcs
Referenzpreis
USD 20.95/pcs
Unser Preis
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GA10JT12-263 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer GA10JT12-263
Teilstatus Active
FET Typ -
Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1403pF @ 800V
Vgs (Max) -
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 170W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 10A
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket -
Paket / Fall -
Gewicht -
Ursprungsland -

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