| Número de pieza | GB1100021 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo | MHz Crystal |
| Frecuencia | 11.0592MHz |
| Estabilidad de Frecuencia | ±30ppm |
| Tolerancia de frecuencia | ±30ppm |
| Capacidad de carga | 30pF |
| ESR (resistencia de la serie equivalente) | 30 Ohm |
| Modo operativo | Fundamental |
| Temperatura de funcionamiento | -20°C ~ 70°C |
| Calificaciones | - |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | HC49/US |
| Tamaño / Dimensión | 0.441" L x 0.197" W (11.20mm x 5.00mm) |
| Altura: sentado (máximo) | 0.138" (3.50mm) |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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GB1000008 | Diodes Incorporated | CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K | Detalles |
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GB1000015 | Diodes Incorporated | CRYSTAL 10.0000MHZ 30PF TH | Detalles |
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GB1000017 | Diodes Incorporated | CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K | Detalles |
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GB100TS60K | IR | GB100TS60K IR SMD or Through Hole New Original Stocks | Detalles |
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GB100XCP12-227 | GeneSiC Semiconductor | IGBT 1200V 100A SOT-227 | Detalles |
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GB1020003 | Diodes Incorporated | CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K | Detalles |
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GB10MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor | SIC DIODE 1700V 10A TO-247-2 | Detalles |
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GB10RF60K | ORIGINAL | GB10RF60K ORIGINAL SMD or Through Hole New Original Stocks | Detalles |
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GB10SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A | Detalles |
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GB10SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC | Detalles |
