GB1100021 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	GB1100021
État de la pièce	Active
Type	MHz Crystal
La fréquence	11.0592MHz
Stabilité de fréquence	±30ppm
Tolérance de fréquence	±30ppm
Capacité de charge	30pF
ESR (résistance série équivalente)	30 Ohm
Mode de fonctionnement	Fundamental
Température de fonctionnement	-20°C ~ 70°C
Évaluations	-
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	HC49/US
Taille / Dimension	0.441" L x 0.197" W (11.20mm x 5.00mm)
Hauteur - Assis (Max)	0.138" (3.50mm)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
GB1000008	Diodes Incorporated	CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K	Détails
GB1000015	Diodes Incorporated	CRYSTAL 10.0000MHZ 30PF TH	Détails
GB1000017	Diodes Incorporated	CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K	Détails
GB100TS60K	IR	GB100TS60K IR SMD or Through Hole New Original Stocks	Détails
GB100XCP12-227	GeneSiC Semiconductor	IGBT 1200V 100A SOT-227	Détails
GB1020003	Diodes Incorporated	CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K	Détails
GB10MPS17-247	GeneSiC Semiconductor	SIC DIODE 1700V 10A TO-247-2	Détails
GB10RF60K	ORIGINAL	GB10RF60K ORIGINAL SMD or Through Hole New Original Stocks	Détails
GB10SLT12-214	GeneSiC Semiconductor	SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A	Détails
GB10SLT12-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC	Détails