DMJ70H1D4SV3 Descripción detallada
Número de pieza |
DMJ70H1D4SV3 |
Estado de la pieza |
Active |
Tipo de FET |
N-Channel |
Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
700V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
5A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
1.5 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
7.5nC @ 10V |
Vgs (Max) |
±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
342pF @ 50V |
Característica FET |
- |
Disipación de potencia (Máx) |
78W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor |
TO-251 |
Paquete / caja |
TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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